Lin Lanying头像

Lin Lanying

身份简介:

中国物理学家、半导体材料学家

中文译名:

林兰英

国籍:

中国

出生地:

中国 福建省 莆田市

出生日期:

1918年2月7日

逝世日期:

2003年3月4日

太阳星座:

水瓶座

学历:

福建协和大学学士

迪金森学院学士

宾夕法尼亚大学硕士、博士

专业:

物理专业

数学专业

固体物理学专业


获奖经历


1998年 霍英东成就奖 

1996年 何梁何利科技进步奖

1990年 中国国家科技进步三等奖

1989年 中国科学院科技进步一等奖

1985年 中国国家科技进步二等奖

1982年 中国科学院科技进步一等奖

1981年 中国科学院科技进步一等奖

1980年 中国科学院科技进步一等奖

1980年 当选中国科学院院士

1964年 国家科技进步二等奖1963年 国家科技进步二等奖

人际关系


父亲:

林剑华(Lin Jianhua)

母亲:

周水仙(Zhou Shuixian)

好友:

李来荣(Li Lairong)

黄昆(Huang Kun)

王启明(Wang Qiming)


·固态物理

·单晶硅

·女科学家

成长经历


林兰英出生在福建莆田的一个大家族中,林家的祖上是明朝的御史林润,在当地很有声望。林兰英的父亲是一位知识分子,曾就读于上海大学,之后在南昌一家报纸工作。由于莆田当地重男轻女思想盛行,身为长女的林兰英很小的时候就被要求像其他女孩子一样做家务。林兰英非常懂事,她很想上学,不过她的母亲并不同意。为此,6岁时林兰英把自己关在房间里,绝食了3天,最终说服了母亲让自己上学。

林兰英学习非常刻苦,加上天资聪慧,成绩在班上名列前茅。她的母亲给出的条件是,她必须兼顾家务,在帮家里洗衣做饭之后,才能去学校。林兰英从不抱怨,每天只睡6个小时,除了学习就是干活。小学毕业后,林兰英的母亲觉得她没有必要再上中学,因为中学学费更高。不过,林兰英再一次说服了母亲,家里无需付学费,她以最优秀的拿到了中学提供的奖学金。

初中3年,林兰英每个学期成绩都排名全年级第一。毕业后,林兰英顺利考入莆田最好的高中莆田中学,她是当时高一唯一的一名女生。由于学业非常优秀,她的母亲最终接受了她走读书这条路。高中时期,抗战爆发,学校的正常教学被打乱,林兰英之后转入当地一所教会中学读书。在这所中学,英语流利的林兰英成为了一位美国教师的助手和翻译,她被同学称为“小老师”。

1936年,林兰英以出色的成绩考入福建协和大学物理系。林兰英是班上最优秀的学生,她的学习能力和研究能力都非常出色,最后以优秀毕业生的身份留校任教。从1940年起,她在福建协和大学工作了8年,出版了一本名为《光学实验课程》的教科书,并获得了教授资格。

远渡重洋


上世纪40年代,福建协和大学和美国的纽约大学有合作交流项目,很多工作2年以上的教师都可以出国学习。不过,由于林兰英不是基督徒,她没有获得出国资格。为了能到国外深造,林兰英申请了宾州迪金森学院的交流项目,最后成功获得批准。1948年,林兰英只身前往美国。在迪金森学院,林兰英获得了数学专业的全额奖学金,她的出色表现甚至让导师也赞叹不已。

林兰英的导师一度希望推荐她去芝加哥大学学习数学,但林兰英在经过认真思考后认为,当时贫穷落后的中国最需要物理人才。她之后申请了宾夕法尼亚大学的固态物理学专业。林兰英的物理天赋毋庸置疑,她对当时美国最前沿的物理学知识,尤其是半导体材料的研究很感兴趣。在宾大的5年时间里,林兰英的学术研究水平获得了突飞猛进的提升。

1955年,林兰英成功获得固态物理学博士学位。她成为了宾大建校一百多年来,第一位获得博士学位的中国人,也是该校历史上第一位女博士。毕业后,林兰英想回中国。不过,当时中美之间的政治气氛并不好,在导师的推荐下,她前往纽约的半导体公司希尔法尼亚担任高级工程师。当时,该公司在制造单晶硅方面失败了好几次。林兰英在经过认真研究后,解决了这些问题,帮助公司成功地研发了硅技术。

报效祖国


1957年,思乡心切的林兰英希望回到祖国。当时美国政府并不希望放走林兰英这样的高级物理人才。为此,林兰英通过各种途径,最终依靠印度驻美大使馆的帮助,办好了回国手续。在登机前,美国FBI对其行李进行了搜查,最后还扣留了她辛苦攒下的6800美元的工资。林兰英义无反顾,依然选择回国。

回到中国后,林兰英很快被求贤若渴的中国科学院请到北京。她加入了这个中国当时最高的科学研究机构,继续从事固态物理尤其是半导体方面的研究。在林兰英的推动下,中科院半导体研究所在1957年完成了第一个单晶锗的制造。第二年,林兰英研发成功了中国第一根单晶硅管,振奋了整个物理学界,中国也成为世界上第三个生产出单晶硅的国家。

林兰英当时的工资只有207元人民币,也就是20美元一个月,只有在美国工作时的一个零头。但她从不抱怨物质条件的匮乏,凭借对祖国的热爱,对科学工作的执着追求,她把全部精力都放在了科学研究上。1962年,林兰英设计建造了单晶炉,之后这个产品被销往了很多国家。同年,她成功制造了中国第一个单晶砷化镓,她制造的砷化镓的迁移率达到了当时国际顶尖水平。

文革爆发后,林兰英的工作也被迫暂停,她不得不接受调查。在此期间,林兰英的父亲也遭到迫害,在一次批斗中身亡。尽管悲愤不已,但林兰英坚信这段政治风波终会过去。文革结束后,年近六旬的林兰英很快重新回到了科研一线。她在研究中发现,砷化镓由于重力作用,位错密度较大,不能很好地使用,于是她大胆提出,可以在人造卫星上进行实验。经过多年的研究和准备之后,1987年8月,中国第一块高质量的砷化镓单晶体终于诞生,科学家们成功地在第九颗返回式人造卫星上将其制造出来。

林兰英以其对中国半导体工业无与伦比的重大贡献,获得了一系列殊荣。她曾4次获得中科院科学进步一等奖,4次获得二等奖和三等奖,功勋卓著。她在1980年当选为中科院院士。她的研究成果,不仅被普遍使用在工业领域中,也对中国的国防工业和太空领域研究做出了巨大贡献。

Lin Lanying

1996年,78岁的林兰英被诊断出患有癌症。当时她正致力于在中国南方建立半导体研究基地。当她被确诊时,林兰英说:“谁能再给我10年时间?我只需要十年,一定可以完成目标,到时候我可以无怨无悔地死去。我想用这些时间来弥补文化大革命失去的十年。”2003年3月4日下午1点,林兰英去世,享年85岁。

林兰英终身未婚,她把全部精力都投入到了科学研究中去。她提倡男女平等,从不认为女性就不如男性。她在提高妇女地位,妇女受教育问题上倾注了大量心血。她被公认为是中国现代科学女性的代表人物。

参考信息:

Lin Lanying

Lin Lanying, CAS Member and Semiconductor specialist, Passes Away

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