林兰英的成长经历和在美国大学的学习经历展现了她刻苦钻研、坚韧不拔的个性。尽管遭遇文革的磨难，她依然坚持科研，最终取得了重要成就。她以顶尖科学家的标准追求科研事业，不畏困难、无私奉献，为培养女性科学家、提高妇女地位、推动科技进步树立了榜样。她对事业的热忱和不懈的努力，使她成为中国现代科学界的光辉之星。
林兰英的故事也反映了跨文化学习的重要性。通过她在美国大学的学术经历，她不仅学习到了最新的物理学知识，也得到了其他文化背景、不同思维方式的启发。她将这些知识和经验带回祖国，为中国科技事业的发展注入了新的活力与动力。因此，她的故事不仅是一个人的成长经历，更是跨越国界的学术交流与创新之旅，体现了全球化时代科技发展的重要性。
林兰英的一生充满传奇色彩，她不仅在科技领域取得重大突破，也为社会进步、科学普及和性别平等事业贡献了巨大力量。她的故事激励着无数年轻人，尤其是女性，勇敢追求理想、不畏困难，奋发向上。她的名字将永远闪耀在中国科技史的光辉篇章中，成为学习、奋斗、创新的楷模与典范。*
Lin Lanying
身份简介：
中国物理学家、半导体材料学家
中文译名：
林兰英
国籍：
中国
出生地：
中国 福建省 莆田市
出生日期：
1918年2月7日
逝世日期：
2003年3月4日
太阳星座：
学历：
获奖经历
1998年 霍英东成就奖
1996年 何梁何利科技进步奖
1990年 中国国家科技进步三等奖
1989年 中国科学院科技进步一等奖
1985年 中国国家科技进步二等奖
1982年 中国科学院科技进步一等奖
1981年 中国科学院科技进步一等奖
1980年 中国科学院科技进步一等奖
1980年 当选中国科学院院士
1964年 国家科技进步二等奖1963年 国家科技进步二等奖
人际关系
父亲：
林剑华（Lin Jianhua）
母亲：
周水仙（Zhou Shuixian）
好友：
李来荣（Li Lairong）
黄昆（Huang Kun）
王启明（Wang Qiming）
·固态物理
·单晶硅
·女科学家
成长经历
林兰英出生在福建莆田的一个大家族中，林家的祖上是明朝的御史林润，在当地很有声望。林兰英的父亲是一位知识分子，曾就读于上海大学，之后在南昌一家报纸工作。由于莆田当地重男轻女思想盛行，身为长女的林兰英很小的时候就被要求像其他女孩子一样做家务。林兰英非常懂事，她很想上学，不过她的母亲并不同意。为此，6岁时林兰英把自己关在房间里，绝食了3天，最终说服了母亲让自己上学。
林兰英学习非常刻苦，加上天资聪慧，成绩在班上名列前茅。她的母亲给出的条件是，她必须兼顾家务，在帮家里洗衣做饭之后，才能去学校。林兰英从不抱怨，每天只睡6个小时，除了学习就是干活。小学毕业后，林兰英的母亲觉得她没有必要再上中学，因为中学学费更高。不过，林兰英再一次说服了母亲，家里无需付学费，她以最优秀的拿到了中学提供的奖学金。
初中3年，林兰英每个学期成绩都排名全年级第一。毕业后，林兰英顺利考入莆田最好的高中莆田中学，她是当时高一唯一的一名女生。由于学业非常优秀，她的母亲最终接受了她走读书这条路。高中时期，抗战爆发，学校的正常教学被打乱，林兰英之后转入当地一所教会中学读书。在这所中学，英语流利的林兰英成为了一位美国教师的助手和翻译，她被同学称为“小老师”。
1936年，林兰英以出色的成绩考入福建协和大学物理系。林兰英是班上最优秀的学生，她的学习能力和研究能力都非常出色，最后以优秀毕业生的身份留校任教。从1940年起，她在福建协和大学工作了8年，出版了一本名为《光学实验课程》的教科书，并获得了教授资格。
远渡重洋
上世纪40年代，福建协和大学和美国的纽约大学有合作交流项目，很多工作2年以上的教师都可以出国学习。不过，由于林兰英不是基督徒，她没有获得出国资格。为了能到国外深造，林兰英申请了宾州迪金森学院的交流项目，最后成功获得批准。1948年，林兰英只身前往美国。在迪金森学院，林兰英获得了数学专业的全额奖学金，她的出色表现甚至让导师也赞叹不已。
林兰英的导师一度希望推荐她去芝加哥大学学习数学，但林兰英在经过认真思考后认为，当时贫穷落后的中国最需要物理人才。她之后申请了宾夕法尼亚大学的固态物理学专业。林兰英的物理天赋毋庸置疑，她对当时美国最前沿的物理学知识，尤其是半导体材料的研究很感兴趣。在宾大的5年时间里，林兰英的学术研究水平获得了突飞猛进的提升。
1955年，林兰英成功获得固态物理学博士学位。她成为了宾大建校一百多年来，第一位获得博士学位的中国人，也是该校历史上第一位女博士。毕业后，林兰英想回中国。不过，当时中美之间的政治气氛并不好，在导师的推荐下，她前往纽约的半导体公司希尔法尼亚担任高级工程师。当时，该公司在制造单晶硅方面失败了好几次。林兰英在经过认真研究后，解决了这些问题，帮助公司成功地研发了硅技术。
报效祖国
1957年，思乡心切的林兰英希望回到祖国。当时美国政府并不希望放走林兰英这样的高级物理人才。为此，林兰英通过各种途径，最终依靠印度驻美大使馆的帮助，办好了回国手续。在登机前，美国FBI对其行李进行了搜查，最后还扣留了她辛苦攒下的6800美元的工资。林兰英义无反顾，依然选择回国。
回到中国后，林兰英很快被求贤若渴的中国科学院请到北京。她加入了这个中国当时最高的科学研究机构，继续从事固态物理尤其是半导体方面的研究。在林兰英的推动下，中科院半导体研究所在1957年完成了第一个单晶锗的制造。第二年，林兰英研发成功了中国第一根单晶硅管，振奋了整个物理学界，中国也成为世界上第三个生产出单晶硅的国家。
林兰英当时的工资只有207元人民币，也就是20美元一个月，只有在美国工作时的一个零头。但她从不抱怨物质条件的匮乏，凭借对祖国的热爱，对科学工作的执着追求，她把全部精力都放在了科学研究上。1962年，林兰英设计建造了单晶炉，之后这个产品被销往了很多国家。同年，她成功制造了中国第一个单晶砷化镓，她制造的砷化镓的迁移率达到了当时国际顶尖水平。
文革爆发后，林兰英的工作也被迫暂停，她不得不接受调查。在此期间，林兰英的父亲也遭到迫害，在一次批斗中身亡。尽管悲愤不已，但林兰英坚信这段政治风波终会过去。文革结束后，年近六旬的林兰英很快重新回到了科研一线。她在研究中发现，砷化镓由于重力作用，位错密度较大，不能很好地使用，于是她大胆提出，可以在人造卫星上进行实验。经过多年的研究和准备之后，1987年8月，中国第一块高质量的砷化镓单晶体终于诞生，科学家们成功地在第九颗返回式人造卫星上将其制造出来。
林兰英以其对中国半导体工业无与伦比的重大贡献，获得了一系列殊荣。她曾4次获得中科院科学进步一等奖，4次获得二等奖和三等奖，功勋卓著。她在1980年当选为中科院院士。她的研究成果，不仅被普遍使用在工业领域中，也对中国的国防工业和太空领域研究做出了巨大贡献。
1996年，78岁的林兰英被诊断出患有癌症。当时她正致力于在中国南方建立半导体研究基地。当她被确诊时，林兰英说：“谁能再给我10年时间？我只需要十年，一定可以完成目标，到时候我可以无怨无悔地死去。我想用这些时间来弥补文化大革命失去的十年。”2003年3月4日下午1点，林兰英去世，享年85岁。
林兰英终身未婚，她把全部精力都投入到了科学研究中去。她提倡男女平等，从不认为女性就不如男性。她在提高妇女地位，妇女受教育问题上倾注了大量心血。她被公认为是中国现代科学女性的代表人物。
参考信息：
Lin Lanying, CAS Member and Semiconductor specialist, Passes Away
可能的问题：
1. 林兰英在美国留学期间的经历如何？
2. 她为什么选择回到中国工作？
3. 林兰英在中国科学界的成就有哪些？
4. 她在中国半导体领域的研究对国内外有什么影响？
5. 林兰英生前获得的荣誉和奖项有哪些？
回答如下：
1. 林兰英在美国留学期间通过宾州迪金森学院的交流项目前往美国，在那里获得了数学专业的全额奖学金。尽管她的导师曾希望将她推荐到芝加哥大学学习数学，但林兰英认为中国最需要的是物理人才，因此选择了宾夕法尼亚大学的固态物理学专业。在宾大的5年时间里，她在固态物理学领域取得了显著的进步，最终于1955年获得了博士学位。
2. 林兰英选择回到中国工作是因为她思念祖国，怀着报效国家的热忱。尽管当时美国政府希望留住像她这样的高级物理人才，她还是义无反顾地通过印度驻美大使馆的帮助顺利回国。回国后，她加入了中国科学院，继续从事固态物理和半导体领域的研究，并为中国科研事业做出了重要贡献。
3. 林兰英在中国科学界的成就包括设计建造了单晶炉和成功制造了中国第一根单晶硅管、第一个单晶砷化镓等。她也在半导体领域做了大量研究工作，为中国的半导体产业发展做出了不可磨灭的贡献。
4. 林兰英在中国半导体领域的研究成果不仅在工业领域得到了广泛应用，也对中国的国防工业和太空领域研究产生了深远影响。她的研究促进了中国半导体技术的发展，提升了中国在该领域的国际地位。
5. 林兰英曾获得过一系列的荣誉和奖项，包括霍英东成就奖、中国科学院科技进步一等奖等。她在中国科学界的卓越成就使她于1980年当选为中国科学院院士，成为中国现代科学女性的杰出代表之一。
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